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试题详情
芯片被誉为“现代工业粮食”,是新一代信息产业的基石。制备芯片材料高纯硅的装置如下图所示(加热及夹持装置省略),利用SiHCl
3
与过量H
2
在1100~1200℃反应(SiHCl
3
沸点为31.8℃,遇水会强烈水解),下列说法
错误的
是( )
A、装置B中的试剂是浓硫酸
B、实验开始时先打开装置A中的K
1
C、装置C采用常温冷却水,目的是使SiHCl
3
与H
2
充分混合
D、石英管中发生反应SiHCl
3
+H
2
Si+3HCl
知识点
参考答案
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采纳过本试题的试卷
高考二轮复习知识点:实验装置综合1
广东省汕头市2021年高考化学二模试卷
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