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光刻胶是半导体光刻工艺的核心材料,2020年12月我国自主研发的第一支ArF光刻胶通过产品验证,打破了国外垄断。从A合成某酯类光刻胶I的一种合成路线如图所示,其中 代表的是330弱碱性环氧系阴离子交换树脂。回答下列问题:

已知:①RCH2CHO+HCHO+R′NHR″→ +H2O

②RCOCl+R′OH→RCOOR′+HCl

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