在芯片制作过程中，涉及硅粉在磁场中的偏转和吸收，情景可以简化为如下：如图（1）所示：在 圆形区域 中有垂直于该平面的匀强磁场，磁感应强度为B，硅粉可视为质量为m，带电量为 的带电粒子，硅粉从静止开始经U的加速电压加速以后从 边界的中点C垂直OA边界进入磁场，经过磁场作用以后恰好从 边界的中点D垂直 边界离开磁场·忽略硅粉的重力和硅粉之间的相互作用力。