制造芯片用到高纯硅，用SiHCl₃(沸点：31.85℃，SiHCl₃遇水会剧烈反应，易自燃)与过量H₂在1100~1200℃反应制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说法错误的是（   ）

A、整个实验的关键是控温、检查装置气密性和排尽装置中的空气

B、装置II、III中依次盛装的是浓H₂SO₄、温度高于32℃的温水

C、实验时，先打开装有稀硫酸仪器的活塞，收集尾气验纯，再预热装置IV石英管

D、尾气处理可直接通入NaOH溶液中