半导体材料GaN、GaP、GaAs的晶体结构均属于金刚石型(如图)。下列说法正确的是（   ）

A、第一电离能：Ga＞As

B、三种晶体中Ga的配位数均为6

C、熔点：GaN＜GaP＜GaAs

D、若GaAs晶胞参数为a pm，则晶体密度ρ=g·cm^-3