中国芯片蚀刻技术国际领先。NF₃进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体，在蚀刻物表面不留任何残留物。该反应的微观示意图如下，下列说法错误的是（   ）

A、该反应前后原子的数目不变

B、丙中硅、氟元素的质量比为7：19

C、空气中物质丁的体积分数约为78%

D、该反应后生成的丙和丁的微粒数之比为1：1