在芯片制造过程中，离子的注入是其中一道重要的工序。如图所示，正方体OPMN-CDGH边长为L，分别沿OP、OC、ON为x、y、z轴，建立图示坐标系。一质量为m、电荷量为q的带正电粒子，以大小为v₀的初速度沿x轴正方向从O点入射，粒子重力不计，忽略场的边缘效应和粒子的相对论效应。