中国芯片蚀刻技术国际领先，用NF₃进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体，在蚀刻物表面不留任何残留物，该反应的微观示意图如图所示。下列说法错误的是

A、反应前后原子的数目改变

B、反应前后元素的种类不变

C、丙分子中Si、F原子个数比为1：4

D、反应生成的丙和丁的质量比为39：7