由汞（Hg）、锗（Ge）、锑（Sb）形成的一种新物质M为潜在的拓扑绝缘体材料。M晶体可视为Ge晶体（晶胞如图a所示）中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成（晶胞如图b所示），已知原子P的分数坐标 ， M的最简式的相对分子质量为 ， 下列说法正确的是（  ）