中国芯片蚀刻技术国际领先。NF₃进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体，在蚀刻物表面不留任何残留物。该反应微观示意图如图，下列说法正确的是（  ）

A、反应前后原子数目发生改变

B、物质丁由原子直接构成

C、丙分子中Si、F原子个数比为1：4

D、参加反应的甲和乙的质量之比为71：28