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氮化镓材料属于第三代半导体,在光电子、高温大功率器件和高温微波器件应用方面有着广阔的前景。MOCVD法是制备氮化镓的方法之一, 通常以Ga(CH3)3作为镓源,NH3作为氮源,在一定条件下反应制取氮化镓。下列相关说法错误的是(   )
A、氮化镓的化学式为GaN
B、该反应除生成氮化镓外,还生成CH4
C、Ga(CH3)3是共价化合物
D、镓位于元素周期表第四周期第ⅡA族
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