高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为： ①SiO2+2CSi +2CO↑【参考答案】

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高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：

①SiO₂+2C $\text{[math]}$ Si +2CO↑、②Si+3HCl $\text{[math]}$ HSiCl₃+H₂、③HSiCl₃+H₂ $\text{[math]}$ Si+3X，反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三氯硅烷(HSiCl₃)的沸点是31.8℃。下列有关说法错误的是（）

A、反应③中X的化学式为HCl

B、三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成

C、三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为1∶3

D、反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅

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