工业上利用Ga与NH₃高温条件下合成固体半导体材料氮化镓(GaN)同时有氢气生成。反应中，每生成3molH₂时放出30.8kJ的热量。恒温恒容密闭体系内进行上述反应， 下列有关表达正确的是（   ）

A、I图像中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可以为升温或加压

B、II图像中纵坐标可以为镓的转化率

C、III图像中纵坐标可以为化学反应速率

D、IV图像中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量