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氮化镓(GaN)材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。氮化镓硬度大、熔点高,极稳定,可以通过以下反应获得:2Ga+2NH3=2GaN+3H2.

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