物理气相沉积镀膜是芯片制作的关键环节之一，如图是该设备的平面结构简图。初速度不计的氩离子（比荷）经电压的电场加速后，从C点水平向右进入竖直向下的场强为的匀强电场，恰好打到电场、磁场的竖直分界线I最下方M点（未进入磁场）并被位于该处的金属靶材全部吸收，两点的水平距离为。靶材溅射出的部分金属离子（比荷）沿各个方向进入两匀强磁场区域，速度大小均为 ， 并沉积在固定基底上，M点到基底的距离为。基底与水平方向夹角为 ， 大小相等、方向相反（均垂直纸面）的两磁场的分界线Ⅱ过M点且与基底垂直。（两种离子均带正电，忽略重力及离子间相互作用力。）求：