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如图为半导体离子注入工艺原理示意图。离子经电压为U的电场加速后,垂直进入宽度为d的匀强磁场区域,转过一定角度后从磁场射出,注入半导体内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里,离子的质量为m,元电荷为e。则离子在磁场中转过的角度为()

A、
B、60°
C、37°
D、
知识点
参考答案
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