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如图为半导体离子注入工艺原理示意图。离子
经电压为U的电场加速后,垂直进入宽度为d的匀强磁场区域,转过一定角度后从磁场射出,注入半导体内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为
、方向垂直纸面向里,离子
的质量为m,元电荷为e。则离子
在磁场中转过的角度为()
A、
B、60°
C、37°
D、
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山西省大同市临汾市2022-2023学年高二上学期物理期末试卷
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