如图为半导体离子注入工艺原理示意图。初速度为0的离子P3+（质量为m、带电量为），经电压为U的电场加速后，垂直磁【参考答案】

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如图为半导体离子注入工艺原理示意图。初速度为0的离子P³⁺（质量为m、带电量为 $\text{[math]}$ ），经电压为U的电场加速后，垂直磁场边界进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，并注入半导体工件内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为 $\text{[math]}$ 、方向垂直纸面向里，求：

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