锗是重要的半导体材料，是一种“稀散金属”，如图是以中和渣(主要成分为GeO₂、Fe₂O₃、ZnO、SiO₂、CaSO₄等)为原料生产二氧化锗的工艺流程：

已知：

①GeCl₄的沸点：83℃，FeCl₃的沸点：315℃。

②H₂GeO₃在高酸度时易聚合形成胶状多聚锗酸。

③常温下，部分金属阳离子转化为氢氧化物沉淀的pH见下表(离子浓度低于10^-5 mol·L^-1视为沉淀完全)。

离子	Fe3+	Zn2+
开始沉淀pH	2.2	6.2
完全沉淀pH	3.2	8.2

回答下列问题：