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光饱和点为光合速率达到最大时所需的最小光照强度。科研人员研究了镉胁迫下硅对烟草光合作用的影响，部分实验结果如表所示。下列相关叙述正确的是（ ）
处理 | 实际光合速率（μmolCO2·m-2·s-1） | 光饱和点（μmol·m-2·s-1） | 气孔导度（mmol·m-2·s-1） | 胞间CO2浓度（μL·L-1） | 总叶绿素含量（μg·cm-2） |
对照组 | 20.57 | 1200 | 1072 | 260 | 1.35 |
镉处理组 | 5.4 | 900 | 168 | 300 | 0.56 |
镉＋硅处理组 | 9.33 | 1050 | 190 | 268 | 0.9 |
- A、镉＋硅处理组总叶绿素含量高于镉处理组，原因是硅可用于叶绿素的合成
- B、光照强度为1200μmol·m-2·s-1时，镉处理组CO2的吸收速率为5.4μmol·m-2·s-1
- C、对照组与镉＋硅处理组相比，胞间CO2浓度基本一致，说明二者的净光合速率相等
- D、镉胁迫条件下使用硅处理，气孔因素并不是使烟草植株光合作用改善的主要因素
知识点
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