在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。为了准确地注入离子，需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控，如图所示，在空间直角坐标系内的长方体区域， ， 。粒子源在y轴上区域内沿x轴正方向连续均匀辐射出带正电粒子。已知粒子的比荷 ， 初速度大小为 ， ， ， 不计粒子的重力和粒子间的相互作用。

（1）仅在长方体区域内加沿z轴正方向的匀强电场，所有的粒子从边射出电场，求电场强度的大小；

（2）仅在长方体区域内加沿y轴正方向的匀强磁场，所有的粒子都经过面射出磁场，求磁感应强度大小的范围；

（3）在长方体区域内加沿z轴正方向的匀强电场、匀强磁场，已知磁感应强度 ， 电场强度 ， 求面射出的粒子数占粒子源射出粒子总数的百分比。