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高中物理试卷库
河北省唐山市2021-2022学年高二上学期物理期末考试试题
作者UID:6898401
日期: 2024-11-22
期末考试
单选题
对下列四个有关光的实验示意图,分析正确的是( )
A、 图甲中若改变复色光的入射角,则b光先在玻璃球中发生全反射
B、 图乙若只减小屏到挡板的距离L,则相邻亮条纹间距离将减小
C、 图丙中若得到如图所示明暗相间条纹说明被检测工件表面平整
D、 若只旋转图丁中M或N一个偏振片,光屏P上的光斑亮度不发生变化
一条绳子左端固定在挡板上,如图为以质点P为波源的机械波在绳上传到质点Q时的波形,关于这列波的说法正确的是( )
A、 这列波遇到障碍物不可能发生衍射现象
B、 再经过一段时间,质点Q将运动到挡板处
C、 质点P刚开始振动时,振动方向向下
D、 波传播到挡板处会被反射回去,反射波与前进波会发生干涉现象
如图所示,一根导体棒用两根细线悬挂在匀强磁场中,匀强磁场的磁感应强度B=0.2T,导体棒与磁场方向垂直,长度L=0.2m,导体棒质量m=0.014kg,其中向右的电流I=1A,重力加速度g取10m/s
2
。下列说法正确的是( )
A、 该导体棒所受安培力大小为0.04N
B、 该导体棒所受安培力大小为0.02N
C、 每根悬线的张力大小为0.07N
D、 每根悬线的张力大小为
如图1所示,弹簧振子以点O为平衡位置,在A、B两点之间做简谐运动。取向右为正方向,振子的位移x随时间t的变化如图2所示,下列说法正确的是( )
A、 t = 0.8s时,振子的速度方向向右
B、 t = 0.2s时,振子在O点右侧6cm处
C、 t = 0.4s和t = 1.2s时,振子的加速度等大反向
D、 t = 0.4s到t = 0.8s的时间内,振子的速度逐渐减小
如图所示,在张紧的绳上挂三个理想单摆,a、c两摆的摆长相等。使a摆振动,其余各摆在a摆的驱动下逐步振动起来。测得c摆的周期为T
0
。不计空气阻力,重力加速度为g,则( )
A、 可以估算出a摆的摆长
B、 b摆的振幅始终最大
C、 c摆的周期一定最大
D、 可以估算出b摆的摆长
磁流体发电是一项新兴技术,下图是它的原理示意图:平行金属板M、N之间有很强的匀强磁场,将一束等离子体(即高温下电离的气体,含有大量正、负离子)喷入磁场,M、N两板间便产生电压。如果把M、N连接阻值为R的电阻,M、N就是直流电源的两个电极。设M、N两板间的距离为d,磁感应强度为B,等离子体以速度v沿垂直于磁场的方向射入M、N两板之间,则下列说法中正确的是( )
A、 N是直流电源的负极
B、 流过电阻的电流为BvR
C、 电源的电动势为Bdv
D、 电源的电动势为qvB
两球A、B在光滑水平面上沿同一直线、同一方向运动,m
A
=1kg,m
B
=2kg,v
A
=4m/s,v
B
=2m/s。当A追上B并发生碰撞后,用v
A
′和v
B
′分别表示A、B两球碰后的速度,两球A、B速度的可能值是( )
A、 v
A
′=3m/s,v
B
′=4m/s
B、 v
A
′=3m/s,v
B
′=2.5m/s
C、 v
A
′=2m/s,v
B
′=3m/s
D、 v
A
′=-4m/s,v
B
′=6m/s
多选题
下列说法正确的是( )
沿x轴传播的简谐横波在t
1
时刻的波形如图中实线所示,t
2
时刻的波形如图中虚线所示。已知t
2
-t
1
=0.04s。则下列说法正确的是( )
如图甲是回旋加速器的示意图,利用该装置可以在有限的空间获得高能的粒子,其核心部分为正对的两个半圆形的盒子垂直放置在匀强磁场中。两盒子狭缝间加如图乙所示的方波型交变电压。欲加速的粒子从狭缝中心附近的A点源源不断的进入狭缝,被加速到最大动能后从粒子出口导出。忽略粒子的重力、初速度以及粒子在狭缝中运动的时间,下列说法正确的是( )
填空题
(某同学用如图甲所示的装置测量激光的波长。将一束激光照在双缝上,在光屏上观察到如图乙所示平行且等宽的明暗相间的条纹。该同学测得双缝间距为d(每个缝的宽度很窄可忽略),光屏到双缝的距离为L,经测量得出5条亮条纹中心之间的距离为a,图乙中的条纹是因为激光发生了
(填“干涉”、“衍射”)现象而产生的,经计算该激光的波长为
。
实验题
在“验证动量守恒定律”的实验中:
解答题
某机车关闭发动机后以0.4m/s的速度驶向停在铁轨上的若干节车厢,与它们一一对接。机车与第一节车厢相碰后它们连在一起共同运动,紧接着又与第二节车厢相碰,就这样,直至碰上最后一节车厢共同的速度为0.05m/s。设机车和车厢的质量都相等,重力加速度g取10m/s
2
, 机车和车厢运行过程中一切阻力忽略不计。
如图所示,等边三角形ABC为某透明玻璃三棱镜的截面图,边长等于L,在截面上一束足够强的细光束从AB边中点与AB边成30
角由真空射入三棱镜,从BC边射出的光线与BC的夹角为30
。光在真空中的速度为c,求:
在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理的示意图。静止于A处的离子,经电压为U的加速电场加速后,沿图中半径为R的虚线通过
圆弧形静电分析器(静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场)后,从P点沿竖直方向进入半径为r的圆形匀强磁场区域,磁场方向垂直于纸面向外。该圆形磁场区域的直径PQ与竖直方向夹角为15°,经磁场偏转,离子最后垂直打在竖直放置的硅片上。已知离子的质量为m、电荷量为q,不计重力。求:
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