锗是重要的半导体材料,是一种“稀散金属”,如图是以中和渣(主要成分为GeO
2、Fe
2O
3、ZnO、SiO
2、CaSO
4等)为原料生产二氧化锗的工艺流程:
已知:
①GeCl4的沸点:83℃,FeCl3的沸点:315℃。
②H2GeO3在高酸度时易聚合形成胶状多聚锗酸。
③常温下,部分金属阳离子转化为氢氧化物沉淀的pH见下表(离子浓度低于10-5 mol·L-1视为沉淀完全)。
离子 | Fe3+ | Zn2+ |
开始沉淀pH | 2.2 | 6.2 |
完全沉淀pH | 3.2 | 8.2 |
回答下列问题: